معرفی سری جدید درایوهای حالت جامد اینتل

شرکت اینتل سه شنبه نسل جدید از درایوهای حالت جامد سری 660p M.2 NVME خود را معرفی کرد. در قلب این محصولات جدید حافظه های فلش NAND 64لایه سه بعدی از نوع QLC می تپد که توسط شرکت IMFlash Technology (سرمایه گذاری مشترک اینتل و ماکرون)تولید شده است. کنترلر به کار رفته در این درایوها SIlicon Motion SMI 2263 است که از روی چیپ قدیمی و بسیار محبوب SMI2262EN ساخته شده و یک پردازنده جدید بر روی آن سوار شده است که از حافظه های فلش NAND نوع QLC پشتیبانی می کند تا بر روی مدار چاپی فضای کوچکتری را اشغال کند. درایو اختصاصی این کنترلر نیز توسط شرکت اینتل برنامه نویسی شده است تا همه چیز تا حد امکان بدون ایراد باشد. از سوی دیگر این درایو به گونه ای طراحی شده اند که از 10درصد فضای فلش QLC NAND به عنوان کش SLC استفاده می کنند. سری 660p در سه ظرفیت 512 گیگابایت ، 1 و 2 ترابایت به بازار عرضه خواهد شد و قیمت آن به ترتیب 100 ، 200 و 400 دلار خواهد بود.

فرم فاکتور این محصولات M.2-2280 است و از رابط PCI-Express 3.0 x4 بهره می برند. قیمت گذاری این محصولات این درایوهای پرسرعت را هم تراز با محصولاتی با رابط PCIe x2 قرار می دهد ولی با توجه به عرض باس بیشتر نرخ انتقال داده در این درایو ها مقدار قابل توجهی بیشتر است. سرعت انتقال اطلاعات نیز در نسخه 512 گیگابایتی به نسبت دیگر دو نسخه پایین تر است به طوریکه سرعت خواندن متوالی اطلاعات 1500مگابایت بر ثانیه است در حالیکه سرعت نوشتن متوالی بیش از 1000مگابایت بر ثانیه خواهد بود. در دو نسخه دیگر نیز سرعت خواندن و نوشتن متوالی بیش از 1800 مگابایت بر ثانیه است. پیشرفت های اخیر شرکت های فعال در حوزه درایو های حالت جامد به مشتاقان نوید درایوهای حجیم تر می دهد تا مانند گذشته نگرانی در این ارتباط وجود نداشته باشد. برای اخبار بیشتر در حوزه رایانه و تکنولوژی با مربع همراه باشید.

منبع: TECHPOWERUP