توضیحات
تولید کننده این محصول Patriot، یک گروه فناوری محور آمریکایی می باشد که در سال 1985 در شهر فرمونت کالیفرنیا فعالیت خود را با مدیریت پائول جونز با هدف تولید ماژول های حافظه، درایوهای فلش USB، درایوهای حالت جامد و تجهیزات گیمینگ آغاز کرده است. شرکت Patriot Memory در سیلیکون ولی واقع شده و در حال طراحی، توسعه و ساخت قطعات کامپیوتر به صورت محلی می باشد. تمرکز این شرکت برای طراحی و تولید محصولی با کیفیت و با دوام، باعث شده است تا مشتریان این محصول، همیشه رضایت کامل داشته باشند.
این ماژول از رابطِ حافظه با دسترسیِ تصادفیِ همگام و پویا با نرخ دو برابری داده نوع سه یا همان DDR3 SDRAM بهره می برد. این سری از ماژول های حافظه Double data rate در سال 2007 به عنوان جانشین دو رابط قدیمی تر DDR و DDR2 به بازار عرضه شدند. حافظه های DDR3 SDRAM قابلیت سازگاری عقبرو را به دلیل ولتاژ های مختلف سیگنال، تایمینگ و دیگر فاکتور ها ندارند و برای استفاده از آنها الزامی است کاربران از مادربردهای مجهز به این رابط استفاده کنند. مهمترین ویژگی حافظه های DDR3 SDRAM به نسبت نسل پیشین یعنی DDR2 SDRAM، در قابلیت انتقال اطلاعات با نرخ دو برابری است که مسبب پهنای باند بیشتر یا نرخ انتقال داده حداکثری می شود. به لطف دو انتقال داده در هر سیکل، یک ماژول DDR3 با عرض 64 بیت ممکن است بتواند تا 64 برابر سرعت کلاک حافظه با معیار مگاهرتز، به انتقال اطلاعات بپردازد. از همین رو با یک محاسبه ریاضی ساده یک ماژول DDR3 SDRAM صد مگاهرتزی می تواند تا 6400 مگابایت اطلاعات را در ثانیه انتقال دهد. البته محدودیت های حجمی زیادی نیز برای ماژول های DDR3 وجود دارد به صورتیکه یک ماژول به صورت استاندارد نهایتاً می تواند از چیپ هایی تا ظرفیت 8 گیبی‌بیت(۱۰۲۴۳ بیت) بهره ببرد هرچند به خاطر برخی از محدودیت های سخت افزاری که تا قبل از انتشار Ivy Bridge-E نیز ادامه داشت، پردازنده های اینتل نهایتاً می توانستند از چیپ های 4 گیبی‌بیت پشتیبانی کنند که در برخی موارد مانند حتی تا 2 گیبی‌بیت نیز محدود می شد. در مقایسه با حافظه های DDR2 ، حافظه های DDR3 انرژی کمتری مصرف می کنند، این تفاوت نیز در مقدار ولتاژ ورودی است که برای حافظه های DDR2 مقداری مابین 1.8 تا 1.9 ولت است در حالیکه همین المان برای حافظه های DDR3 نهایتاً تا 1.5 ولت است. به گفته JEDEC (سازمان مستقل استاندارد و تجارت مهندسی نیمه هادی ) مقدار بیشینه ولتاژ برای حافظه های DDR3 نهایتاً 1.575ولت است و بیش از این مقدار، پایداری عملکرد از بین می رود هرچند که تا قبل از 1.8 ولت ماژول آسیب جدی نخواهد دید. ماژول های DDR3 می توانند با نرخ 800 تا 2133 مگاترنسفر در ثانیه اطلاعات را منتقل کنند که این مقدار دو برابر بیشتر از حافظه های DDR2 و چهار برابر بیشتر از حافظه های DDR است.
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.