توضیحات
.
تولید کننده این محصول G.Skill، یک گروه فناوری محور تایوانی می باشد که در سال 1989 در شهر تایپه فعالیت خود را آغاز کرده است. بیشتر کاربران، G.Skill را با ماژول های رم بسیار با کیفیت می شناسند چرا که این شرکت تمام تمرکز خود را برروی تولید محصولاتی با عملکرد بسیار بالا و مصرف بهینه گذاشته است. از دیگر محصولات تولید شده در این شرکت می توان به حافظه رم مخصوص تجهیزات قابل حمل، درایوهای حالت جامد، حافظه های فلش، خنک کننده های حافظه رم، ماوس/کیبور/هدست گیمینگ و منابع تغذیه نیز اشاره کرد. این شرکت تایوانی تا به امروز توانسته است به لطف تیم متخصص، به سرعت نیاز بازار را شناسایی و نیازهای کاربران حرفه ای را به بهترین شکل ممکن برطرف کند. علاوه بر این، شرکت G.Skill همکاری های تجاری با برخی از شناخته شده ترین برند های حال حاضر این صنعت مانند ازراک، ایسوس، بایوستار، الایت گروپ، EVGA، اینتل، MSI، سامسونگ و هاینیکس نیز داشته است.
این ماژول از رابط حافظه با دسترسی تصادفی همگام و پویا با نرخ دو برابری داده یا همان DDR2 SDRAM بهره می برد. این رابط در سال 2003 به عنوان جایگزین رابط حافظه DDR SDRAM وارد بازار شد و در سال 2007 جای خود را به رابط DDR3 SDRAM داد. از آنجایی که ماژول های حافظه خطی دوگانه این رابط با نسل قبل و بعد خود تفاوت فیزیکی داشتند، امکان استفاده از آن ها بر روی مادربردهای مجهز به دو نسل دیگر وجود نداشت. علاوه بر اینکه این رابط مانند رابط اسبق در هر سیکل بالا و پایین امکان یک انتقال داده را فراهم می کرد، سرعت باس بیشتر و مصرف انرژی به مراتب کمتری نیز داشت. این موضوع نیز با کاهش 50 درصدی کلاک داخلی به نسبت سرعت باس داده انجام می پذیرفت. همین موضوع سبب می شد تا در هر سیکل کلاک داخلی چهار انتقال داده انجام شود که به نسبت رابط پیشین مقدار قابل قبولی بود. از آنجایی که کلاک داخلی حافظه های DDR2 با نصف نرخ کلاک خارجی DDR به فعالیت می پردازند، زمانی که نرخ کلاک باس داده آن، هم مقدار با حافظه های DDR باشد، پهنای باند یکسان، ولی تأخیر بیشتر می شود. از همین رو آن دسته از حافظه های DDR2 که با دو برابر نرخ کلاک باس داده فعالیت می کنند با همان مقدار تأخیر، پهنای باند دوبرابری برای کاربران فراهم می کنند. در نهایت می توان گفت بهترین حافظه های DDR2 حداقل دو برابر سریعتر از بهترین حافظه های DDR هستند. فرکانس باس حافظه های DDR2 نیز به کمک بهبود رابط الکتریکی، فناوری ODT، بافرهای پیش فرض و درایوهای خارج از چیپ افزایش یافته است. برای مثال بافرهای پیش فرض DDR2 چهاربیتی هستند در حالیکه همین موضوع برای حافظه های DDR دو بیت است. در حالیکه تأخیر در خواندن داده در حافظه های DDR مابین دو تا سه سیکل باس است، تأخیر در خواندن داده در حافظه های DDR2 در محدوده سه تا نه سیکل می باشد که در ابتدا سبب شده بود حافظه های DDR2 به نسبت DDRآنچنان مورد استقبال کاربران قرار نگیرند، هرچند که بعدها در سال 2004 این موضوع برطرف شد و نسخه هایی با تأخیر پایین تر هم عرضه شدند. در ضمن مهم است به یاد داشته باشید که ماژول هایی که پسوند F یا FB در انتهای آنها آمده است، موقعیت شیار متفاوتی دارند؛ فناوری FB-DIMM یا همان ماژولِ حافظه دوگانه در یک خطِ تمام بافر شده به فناوری گفته می شود که در آن قابلیت اطمینان و تراکم حافظه سیستم افزایش یافته است.
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.