توضیحات
تولید کننده این محصول SK Hynix، یک گروه فناوری محور از کشور کره جنوبی می باشد که در سال 1983 در شهر ایچئون فعالیت خود را آغاز کرده است. این شرکت در زمینه تولید چیپ های حافظه دسترسی تصادفی پویا (دی‌رم) و حافظه دسترسی تصادفی، حافظه‌های فلش، حافظه تلفن همراه و حافظه دستیارهای دیجیتال، حافظه کارت‌های گرافیک، درایو دیسک سخت، سیماس و درایوهای حالت جامد فعالیت می‌نماید. این شرکت در سال ۱۹۹۳ شرکت آمریکایی مکستور را تصاحب کرد. کمپانی هاینیکس در ۱۹۹۹ با شرکت نیم هادی های ال‌جی که از زیرمجموعه‌های ال‌جی گروپ بود، ادغام گردید. اس‌کی هاینیکس در حال حاضر پس از شرکت سامسونگ الکترونیکس، دومین تولیدکننده چیپ های حافظه در جهان می‌باشد. این شرکت همچنین در رتبه سوم از بزرگترین شرکت های نیم رسانای جهان قرار دارد.
این ماژول از رابطِ حافظه با دسترسیِ تصادفیِ همگام و پویا با نرخ دو برابری داده نوع سه یا همان DDR3 SDRAM بهره می برد. این سری از ماژول های حافظه Double data rate در سال 2007 به عنوان جانشین دو رابط قدیمی تر DDR و DDR2 به بازار عرضه شدند. حافظه های DDR3 SDRAM قابلیت سازگاری عقبرو را به دلیل ولتاژ های مختلف سیگنال، تایمینگ و دیگر فاکتور ها ندارند و برای استفاده از آنها الزامی است کاربران از مادربردهای مجهز به این رابط استفاده کنند. مهمترین ویژگی حافظه های DDR3 SDRAM به نسبت نسل پیشین یعنی DDR2 SDRAM، در قابلیت انتقال اطلاعات با نرخ دو برابری است که مسبب پهنای باند بیشتر یا نرخ انتقال داده حداکثری می شود. به لطف دو انتقال داده در هر سیکل، یک ماژول DDR3 با عرض 64 بیت ممکن است بتواند تا 64 برابر سرعت کلاک حافظه با معیار مگاهرتز، به انتقال اطلاعات بپردازد. از همین رو با یک محاسبه ریاضی ساده یک ماژول DDR3 SDRAM صد مگاهرتزی می تواند تا 6400 مگابایت اطلاعات را در ثانیه انتقال دهد. البته محدودیت های حجمی زیادی نیز برای ماژول های DDR3 وجود دارد به صورتیکه یک ماژول به صورت استاندارد نهایتاً می تواند از چیپ هایی تا ظرفیت 8 گیبی‌بیت(۱۰۲۴۳ بیت) بهره ببرد هرچند به خاطر برخی از محدودیت های سخت افزاری که تا قبل از انتشار Ivy Bridge-E نیز ادامه داشت، پردازنده های اینتل نهایتاً می توانستند از چیپ های 4 گیبی‌بیت پشتیبانی کنند که در برخی موارد مانند حتی تا 2 گیبی‌بیت نیز محدود می شد. در مقایسه با حافظه های DDR2 ، حافظه های DDR3 انرژی کمتری مصرف می کنند، این تفاوت نیز در مقدار ولتاژ ورودی است که برای حافظه های DDR2 مقداری مابین 1.8 تا 1.9 ولت است در حالیکه همین المان برای حافظه های DDR3 نهایتاً تا 1.5 ولت است. به گفته JEDEC (سازمان مستقل استاندارد و تجارت مهندسی نیمه هادی ) مقدار بیشینه ولتاژ برای حافظه های DDR3 نهایتاً 1.575ولت است و بیش از این مقدار، پایداری عملکرد از بین می رود هرچند که تا قبل از 1.8 ولت ماژول آسیب جدی نخواهد دید. ماژول های DDR3 می توانند با نرخ 800 تا 2133 مگاترنسفر در ثانیه اطلاعات را منتقل کنند که این مقدار دو برابر بیشتر از حافظه های DDR2 و چهار برابر بیشتر از حافظه های DDR است.
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.